لیست اختراعات كيارش حسيني ايستاده
اين اختراع، بستر و قالب حسگر گازي مبتني بر فناوري تغيير رسانش الكتريكي نانولوله هاي كربني در ساختار ترانزيستور اثر ميداني است. از اين فناوري ميتوان براي اندازه گيري گازهاي متفاوت چون گازهاي برخاسته از مواد منفجره، گاز دي اكسيد نيتروژن، آمونياك، هيدروژن و سولفيد هيدروژن در محيط و همينطور شناسايي بخارات برخواسته از مواد خطرناك/ منفجره استفاده كرد. سازوكار ورارساني نانوحسگرهاي گازي مبتني بر نانولوله هاي كربني تكجداره يا چند جداره، تغيير رسانش الكتريكي بين الكترودهاي منبع و جمع كننده در ساختار يك ترانزيستور اثر ميداني يا ساختار مقاومتي است. با توجه به اينكه عملكرد اين دسته از حسگرها تا حد بسيار زيادي وابسته به نسبت سطح ورارسان در معرض گاز به حجم آن است و در سال هاي اخير با بهره گيري از روش هاي جديد ساخت در مقياس نانو، دسترسي به نانو ساختارها و نانو مواد با نسبت سطح به حجم بالا، ميسر شده است، كه ميتوان با ادغام آنها در حسگرهاي گازي از ويژگيهاي منحصر به فرد آنها بهره برد. كانال اين نوع ترانزيستورها از نانولوله(هاي) كربني تشكيل شده است كه با جذب گاز هدف بر روي آن و تغيير در ساختار الكتروني آن و چگالي حاملها، رسانش بين الكترودهاي منبع و جمع كننده تغيير ميكند. . براي افزايش قابليت گزينش پذيري، سطح نانولوله كربني با گروه عاملي خاصي عاملدار ميشود تا از توليد پاسخ مثبت كاذب جلوگيري شود در واقع با عاملدار كردن سطح نانولوله هاي كربني ميتوان پاسخ اختصاصي نسبت به ماده هدف داشت. در مقياس ماكرو نحوه عملكرد اين رسته حسگرهاي گازي به اين صورت است كه، هواي محيط جمعآوري شده و بر روي حسگر دميده ميشود و به سمت چيپ حسگر (كه نانولوله¬هاي عاملدار شده در آنجا قراردارند) هدايت مي¬شود. همانطور كه پيشتر توضيح داده شد، نانولولهها به نحوي عاملدار شدهاند كه قابليت جذب اختصاصي مولكول¬ها و عوامل از پيش تعيين شده¬ را دارند. در نتيجه در صورتيكه عوامل و مولكولهاي مورد نظر در آن محيط وجود داشته باشد، بر روي سنسور جذب شده و تغيير رسانش الكتريكي ذكر شده، توسط دستگاه خوانشگر حسگر بصورت بلادرنگ ضبط و به دستگاه گزارش و نهايتاً اين تغييرات از طريق يك رابط گرافيكي به كاربر ارائه ميشود.
موارد یافت شده: 1